Physical properties of Cu2O thin films prepared by silar method
Journal Name:
- Pamukkale Üniversitesi Mühendislik Bilimleri Dergisi
Key Words:
Keywords (Original Language):
Author Name | University of Author | Faculty of Author |
---|---|---|
Abstract (2. Language):
Polycrystalline Cu2O thin films were obtained on glass substrates using by silar method at 70 °C. XRD analysis showed the films are a cubic structure and lattice parameters were calculated. The surface morphology of the films were imaged by FE-SEM (Field Emission Scanning Electron Microscope). In order to determine the optical properties of the Cu2O thin films UV/vis spectrophotometer was used. Optical transmittance (T %) values of the Cu2O films were determined in the wavelength range 300-1100 nm at room temperature. Semiconductor Cu2O of the thin films optical transmittance values were found to be 50-70% in the visible region. Energy band gap values (Eg) of the films were found to be 2.53-2.62 eV.
Bookmark/Search this post with
Abstract (Original Language):
Silar metodu kullanılarak 70 °C’de cam alttabanlar üzerine polikristal Cu2O ince filmleri elde edildi. XRD analizleri filmlerin kübik yapıda olduğunu gösterdi ve örgü parametreleri hesaplandı. Filmlerin yüzey morfolojisi alan emisyonlu taramalı elektron mikroskobu (FE-SEM) ile görüntülendi. Filmlerin optik özelliklerini belirlemek için UV/vis spektrofotometresi kullanılmıştır. Filmlerin oda sıcaklığındaki optik geçirgenlik (% T) değerleri 300-1100 nm dalga boyu aralığında belirlenmiştir. Yarıiletken Cu2O ince filmlerinin görünür bölgedeki optik geçirgenlik değerleri %50-70 olarak bulunmuştur. Filmlerin enerji bant aralığı değerleri (Eg) 2.53-2.62 eV bulundu.
FULL TEXT (PDF):
- 7