PROBABILITY AND LOSS RATIOS IN SEMICONDUCTOR SINGLE STEP INDEX
LASERS
Journal Name:
- Pamukkale Üniversitesi Mühendislik Bilimleri Dergisi
Keywords (Original Language):
| Author Name | University of Author | Faculty of Author |
|---|---|---|
Abstract (2. Language):
In this work, probability and loss ratios for least mode even and odd fields in the semiconductor single step-index lasers with alpha method are theoretically have been studied and validities of novel found formulas are confirmed and compared with each other numerically: That the results for the least mode even and odd fields are also marginally different has been seen. These accurate differences on the asymmetric and symmetric cases have reflected to the quantities, such as normalized propagation constants, confinement factors depend on them, propagation constants of the regions, wave numbers are the same accuracy, has been understood in the numerical samples clearly. But, unless the refractive indices are changed, that phase constants, phase velocities, effective indices and energy levels of active region are the same has been evaluated.
Bookmark/Search this post with
Abstract (Original Language):
Bu çalışmada, yarıiletken tekli adım kırılma indisli lazerlerde en düşük modlu çift ve tek fonksiyonlu alanda olasılık ve kayıp oranları alfa yöntemi ile teorik olarak incelenmiş ve bulunan yeni formüllerin doğrulukları nümerik olarak gerçeklenmiş ve karşılaştırılmıştır: En düşük modlu çift ve tek fonksiyonlu alana ilişkin sonuçların az da olsa farklı oldukları görülmüştür. Çift ve tek fonksiyonlu alana ait bu hassas farklılıkların asimetrik ve simetrik durumlarda normalize yayılım sabitleri, bunlara bağlı olarak hapsedicilik faktörleri, bölgelere ait yayılım sabitleri, dalga numaraları gibi büyüklüklere de aynı hassasiyetle yansıdığı nümerik örneklerde açıkça görülmektedir. Fakat faz sabitleri, faz hızları, efektif indis ve aktif bölgenin enerji seviyelerinin, bölgelerin kırılma indisleri aynı kaldığı sürece, değişmediği gözlenmiştir.
FULL TEXT (PDF):
- 3