Buradasınız

FİBERGLAS, YARIİLETKEN LAZERLER VE KAZANÇ SABİTİ

FIBER GLASS SEMICONDUCTOR LASERS AND THE GAIN COEFFICIENT

Journal Name:

Publication Year:

Keywords (Original Language):

Abstract (2. Language): 
In AlxGa1-xAs choosing x in various per cent of aluminium it is obtained the changing of the index of refraction of the material. So, formed semiconductor lasers by making GaAs/AlxGa1-xAs heterojunction structures with changing the refractive index to confine the electromagnetic waves and injected carriers (current) in active of laser in time gives optical gain. It is also based the same method the transmission of the information. In this work in fiber glass and semiconductor lasers the effecting factors to change the optical gain are investigated.
Abstract (Original Language): 
AlxGa1-xAs kristalinde x'in çeşitli oranlarda seçimi yapılarak kırılma indisine istenilen değişimin verilmesiyle, elektromanyetik dalga ve enjekte edilen taşıyıcıların (akımın) lazerin aktif bölgesinde aynı anda tuzaklanmalarını gerçekleştirmek için yapılan GaAs/AlxGa1-xAs heterojonksiyon (farklı yapılı eklem) yapılar vasıtasıyla meydana getirilen yarıiletken lazerlerle optik kazanç sağlanır. Fiber glas liflerinde enformasyonun nakli de aynı esasa dayanır. Bu çalışmada fiber glas ve yarıiletken lazerlerde optik kazancın değişimine etki eden faktörler incelenmektedir.
1083
1092

REFERENCES

References: 

Chiang, H. K., Kenan, R. P. and Summers, C. J. 1992. The Analysis of a Phase Delayed Optical Two-State Switch, IEEE Photonics Letters, (4), 4 April.
Knox, R., M., and Toulious, 1970. Integrated Circuits for the Millimeter Through Optical Fre-quency Range, Proc. Of MRI Symp. On Submilli-meter Waves, Ed. J. Fox (Polytechnic Press, Brook-lyn, NY).
Temiz, M.
1996
. The Quantum-Well Structure of Self Electro-Optic -Devices and Gallium- Arsenide, Pamukkale Engineering College, Journal of Engi¬neering Sciences, Volume 2, Number 2.
Temiz, M. 1997. Yarıiletkenler, Pamukkale Üni¬versitesi, Mühendislik Fakültesi Matbaası, Denizli.
Temiz, M., Acer, H. 1998. GaAs-Tabanlı La-zerlerde Elektromanyetik Propagasyon Sabitinin İncelenmesi. Pamukkale Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, 4, (1-2), 541-550.
Temiz, M. 1999. GaAs-Tabanlı Lazerlerde Elektro¬manyetik Alan Modlarının İncelenmesi (Basılması için işleme alınmıştır), Pamukkale Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Mühendislik Bilimleri Dergisi.
Verdeyen, J. T. 1989. Laser Electronics, Prentice-Hall International Limited, London.
Wang, S. 1966. Solid-State Electronics, McGraw-Hill Book Comp., New York.

Thank you for copying data from http://www.arastirmax.com