Buradasınız

Anasayfa » Content

YARIİLETKEN KUANTUM ÇUKURUNDA ELEMENTER MODLARDA TEMEL PARAMETRELER VE BAZI NORMALİZE FREKANSLARDA ENERJİ ÖZDEĞER NOKTALARI

Journal Name:

  • Havacılık ve Uzay Teknolojileri Dergisi

Publication Year:

  • 2004

Key Words:

Keywords (Original Language):

Author NameUniversity of AuthorFaculty of Author
Abstract (2. Language): 
Electronic and optical properties of the structures of semiconductor planar double- heterojuction lasers (SCPDHLs) are investigated in terms of some parameters of the electric field in the sense of energy eigenvalues (EEVs) of electrons in the conduction band or of holes in the valance band in the electronic structures of the materials used for the SCPDHLs. The normalized (dimensionless) coordinate parameters ζ and η of the EEVs of charged particles such as electrons or holes are important parameters of the asymmetric semiconductor planar double-heterojuction lasers (ASCPDHLs) and of the symmetric semiconductor planar doubleheterojuction lasers (SSCPDHLs) for some inevitable design considerations.The EEVs of carriers are studied in terms of electric field parameters such as normalized propagation constant (NPC) α and normalized frequency (NF) V. The NPC α includes a lot of structural properties of the material used for the SCPDHLs and is an important parameters. This constant is always positive and between 0 and 1. This is also a function of the some parameters of the semiconductor material used such as the effective masses of the carriers and the refractive index of the material used and the propagation constants of the electric fields for the active region (AR) and the cladding layers (CLs). Furthermore, the NPC α is directly a function of bounded and/or ground energy for carriers in the AR. The parameters NPC α and the NF V and the normalized coordinate parameters ζ and η Yarıiletken Kuantum Çukurunda Elementer Modlarda Temel Parametreler ve Bazı Normalize Frekanslarda Enerji Özdeğer Noktaları TEMİZ, KARAKILINÇ 62 of the EEVs of charged particles in the active regions (ARs) of the SCPDHLs are obtained for some inevitable design considerations. The energy eigenvalue (EEV) points of the carriers in the normalized coordinate system ζ − η (in the plane ζ − η ) can also be determined by the NF V. For V=1 there is only one EEV solution point for the lowest-mode optical even electric field (EEF) cosζ of an electron or a hole, but there is not EEV solution point for the lowest-mode optical odd electric field (OEF) sinζ of the carriers between 0 and π / 2 on the dimensionless axis ζ in the plane ζ − η ). For the OEF function there is only one solution point for V=2.
Bookmark/Search this post with
Abstract (Original Language): 
Yarıiletken planar çift farklı yapılı lazerler (YPÇFYLr)’in yapılarının elektronik ve optik özellikleri, YPÇFYLr için kullanılan malzemelerin elektronik yapılarında iletim bandındaki elektronlar ve valans bandındaki deliklerin enerji öz değerleri (EÖDr)’i anlamında elektrik alanının bazı parametreleri cinsinden elde edilmiştir. Elektron ve delik gibi yüklü parçacıkların EÖDr’inin ζ ve η normalize (boyutsuz) koordinat parametreleri, asimetrik yarıiletken planar çift farklı yapılı lazerlerin (AYPÇFYLr)’in ve simetrik yarıiletken planar çift farklı yapılı lazerlerin (SYPÇFYLr)’in bazı kaçınılamaz tasarım düşünceleri açısından önemli parametreleri arasındadır. Taşıyıcıların EÖDr’i, normalize frekans (NF) V ve normalize propagasyon sabiti (NPS) α gibi elektrik alan parametreleri cinsinden incelenmiştir. NPS α , SYPÇFYLr için kullanılan malzemelerin bir çok yapısal özelliklerini içeren önemli bir parametredir. Bu sabit, daima pozitiftir, 0 ile 1 arasındadır, kullanılan yarıiletken malzemenin bazı parametrelerinin ve aktif bölge (AB) ile gömlek bölgeleri (GBr) içindeki elektrik alanı propagasyonuna ait propagasyon sabitlerinin bir fonksiyonudur. Ayrıca NPS α , doğrudan doğruya, AB’deki taşıyıcılara ait bağlı enerjilerin ve/veya toprak enerjisinin de bir fonksiyonu olmaktadır. NPS α ve NF V ve SYPÇFYLr’e ait aktif bölgeler (ABr) içindeki yüklü parçacıkların EÖDr’inin ζ ve η normalize koordinat parametreleri bazı tasarım düşünceleri açısından elde edilebilir. ζ − η düzleminde EÖDr’nin noktaları NF V tarafından da belirlenir. Normalize frekansın 1 değerinde (V=1) bir elektron veya deliğe ait en düşük optik modlu çift elektrik alanı (ÇEA) cosζ için ζ − η düzleminde normalize ζ ekseni üzerinde 0 ve π / 2 aralığında sadece bir tane EÖD çözümü vardır. En düşük optik modlu tek elektrik alanı (TEA) sinζ için normalize frekansın 1 değerinde (V=1) bir çözüm yok iken, normalize frekansın 2 değerinde (V=2) değerinde TEA sinζ için yalnız bir çözüm bulunur.
FULL TEXT (PDF): 
PDF icon arastirmax-yariiletken-kuantum-cukurunda-elementer-modlarda-temel-parametreler-bazi-normalize-frekanslarda-enerji-ozdeger-noktalari.pdf
  • 4
61
73
  • Turkish

REFERENCES

References: 

[1] Temiz, M., “The Effects of the Some
Parameters of the Propagation Constant for
Heterojunction Constructions on the Optical
Modes”, Laser Phys., Vol.11, No.3, 297-305,
2001.
[2] Temiz, M., “Impacts on the Confinement
Factor of the Propagation Constants of Optical
Fields in the Some Semiconductor Devices”,
Laser Phys., Vol.12, No.7, 989-1006, 2002.
[3] Temiz. M., “Yarıiletkenler”, Pamukkale
Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Ders
Kitapları Yayın No.006, Denizli.
[4] Schiff, L. I., “Quantum Mechanics”, McGrawhill
Book Comp., Tokyo, 1982.
Yarıiletken Kuantum Çukurunda Elementer Modlarda Temel Parametreler ve Bazı Normalize Frekanslarda
Enerji Özdeğer Noktaları
TEMİZ, KARAKILINÇ
73
[5] Chow, W.W., Koch, S.W., “Semiconductor
Laser Fundamentals”, Springer-Verlag, Berlin
Heidelberg 1999.
[6] Syms, R., Cozen, J., “Optical Guided Waves
and Devices”, McGraw-Hill Book Comp.,
England, 121, 1992.
[7] Gasiorowicz, S., “Quantum Physics”, John
Wiley and Sons., New York, 79-80, 1974.
[8] Millman, Halkias, “Electronics Devices and
Circuits”, McGraw-Hill Book Comp, 65, 1967.
[9] Kroemer, H., “Quantum Mechanics”, Prentice
Hall, New Jersey, 1994.
[10]Ruck, J.A., “Fundamentals of Optical Fibers”,
John Wiley and Sons, Inc., New York, 1994.
[11] Iga, K., “Fundamentals of Laser Optics”, New
York, 1994.
[12] Selvarajan, A., Srinivas, T., “Optical
Amplification and Photoresistivity in Solgel
Based Waveguides”, Journal of Quantum
Electronics, Vol.37, No.9, 1120,.2001
[13] Paiano, G., Pellicoro, M., “Propagation
Constant of Weakly Guiding Optical Fibers: A
new Aigenvalue Condition”, Journal of
Lightwave Technology, Vol.19, No.10, 1992,
2001
[14]V.A. Popescu “Improving the accuracy of
normalized propagation constant for
waveguides by using higher-order variational
method”, Optics Communications, Vol.234,
177–181, 2004.
[15] Iga, K., “Fundamentals of Laser Optics”, New
York, 110,1994.
[16] Bhattacharya, P., “Semiconductor
Optoelectronic Devices”, New Jersey,
Appendix 10, 572, 1998.
[17] Iga, K., “Fundamentals of Laser Optics”, New
York, 111-112,1994.
[18]Temiz, M., Karakılınç, Ö.Ö., ‘‘A Novel
Procedure and Parameters for Design of
Symmetric Quantum Wells in Terms of
Normalised Propagation Constant as a Model α
in the Single Mode’’ , Hava Harp Okulu,
Havacılık ve Uzay Teknolojileri Enstitüsü, Cilt
1, Sayı 2, Sayfa 73-81, 2003.

Thank you for copying data from http://www.arastirmax.com