Journal Name:
- Havacılık ve Uzay Teknolojileri Dergisi
Key Words:
Keywords (Original Language):
Author Name | University of Author | Faculty of Author |
---|---|---|
Abstract (2. Language):
Electronic and optical properties of the structures of semiconductor planar double- heterojuction lasers
(SCPDHLs) are investigated in terms of some parameters of the electric field in the sense of energy eigenvalues
(EEVs) of electrons in the conduction band or of holes in the valance band in the electronic structures of the
materials used for the SCPDHLs. The normalized (dimensionless) coordinate parameters ζ and η of the EEVs
of charged particles such as electrons or holes are important parameters of the asymmetric semiconductor
planar double-heterojuction lasers (ASCPDHLs) and of the symmetric semiconductor planar doubleheterojuction
lasers (SSCPDHLs) for some inevitable design considerations.The EEVs of carriers are studied in
terms of electric field parameters such as normalized propagation constant (NPC) α and normalized frequency
(NF) V. The NPC α includes a lot of structural properties of the material used for the SCPDHLs and is an
important parameters. This constant is always positive and between 0 and 1. This is also a function of the some
parameters of the semiconductor material used such as the effective masses of the carriers and the refractive
index of the material used and the propagation constants of the electric fields for the active region (AR) and the
cladding layers (CLs). Furthermore, the NPC α is directly a function of bounded and/or ground energy for
carriers in the AR. The parameters NPC α and the NF V and the normalized coordinate parameters ζ and η
Yarıiletken Kuantum Çukurunda Elementer Modlarda Temel Parametreler ve Bazı Normalize Frekanslarda
Enerji Özdeğer Noktaları
TEMİZ, KARAKILINÇ
62
of the EEVs of charged particles in the active regions (ARs) of the SCPDHLs are obtained for some inevitable
design considerations. The energy eigenvalue (EEV) points of the carriers in the normalized coordinate system
ζ − η (in the plane ζ − η ) can also be determined by the NF V. For V=1 there is only one EEV solution point
for the lowest-mode optical even electric field (EEF) cosζ of an electron or a hole, but there is not EEV solution
point for the lowest-mode optical odd electric field (OEF) sinζ of the carriers between 0 and π / 2 on the
dimensionless axis ζ in the plane ζ − η ). For the OEF function there is only one solution point for V=2.
Bookmark/Search this post with
Abstract (Original Language):
Yarıiletken planar çift farklı yapılı lazerler (YPÇFYLr)’in yapılarının elektronik ve optik özellikleri, YPÇFYLr
için kullanılan malzemelerin elektronik yapılarında iletim bandındaki elektronlar ve valans bandındaki
deliklerin enerji öz değerleri (EÖDr)’i anlamında elektrik alanının bazı parametreleri cinsinden elde edilmiştir.
Elektron ve delik gibi yüklü parçacıkların EÖDr’inin ζ ve η normalize (boyutsuz) koordinat parametreleri,
asimetrik yarıiletken planar çift farklı yapılı lazerlerin (AYPÇFYLr)’in ve simetrik yarıiletken planar çift farklı
yapılı lazerlerin (SYPÇFYLr)’in bazı kaçınılamaz tasarım düşünceleri açısından önemli parametreleri
arasındadır. Taşıyıcıların EÖDr’i, normalize frekans (NF) V ve normalize propagasyon sabiti (NPS) α gibi
elektrik alan parametreleri cinsinden incelenmiştir. NPS α , SYPÇFYLr için kullanılan malzemelerin bir çok
yapısal özelliklerini içeren önemli bir parametredir. Bu sabit, daima pozitiftir, 0 ile 1 arasındadır, kullanılan
yarıiletken malzemenin bazı parametrelerinin ve aktif bölge (AB) ile gömlek bölgeleri (GBr) içindeki elektrik
alanı propagasyonuna ait propagasyon sabitlerinin bir fonksiyonudur. Ayrıca NPS α , doğrudan doğruya,
AB’deki taşıyıcılara ait bağlı enerjilerin ve/veya toprak enerjisinin de bir fonksiyonu olmaktadır. NPS α ve NF
V ve SYPÇFYLr’e ait aktif bölgeler (ABr) içindeki yüklü parçacıkların EÖDr’inin ζ ve η normalize koordinat
parametreleri bazı tasarım düşünceleri açısından elde edilebilir. ζ − η düzleminde EÖDr’nin noktaları NF V
tarafından da belirlenir. Normalize frekansın 1 değerinde (V=1) bir elektron veya deliğe ait en düşük optik
modlu çift elektrik alanı (ÇEA) cosζ için ζ − η düzleminde normalize ζ ekseni üzerinde 0 ve π / 2 aralığında
sadece bir tane EÖD çözümü vardır. En düşük optik modlu tek elektrik alanı (TEA) sinζ için normalize
frekansın 1 değerinde (V=1) bir çözüm yok iken, normalize frekansın 2 değerinde (V=2) değerinde TEA sinζ
için yalnız bir çözüm bulunur.
FULL TEXT (PDF):
- 4