Buradasınız

YARIİLETKEN LAZERLERDE YÜKLÜ TAŞIYICILARIN ENERJİ DURUMLARININ İNCELENMESİ

THE STUDY OF ENERGY STATES OF CHARGED CARRIERS ON THE SEMICONDUCTOR LASERS

Journal Name:

Publication Year:

Author NameUniversity of AuthorFaculty of Author
Abstract (2. Language): 
In the active regions of the semiconductor lasers electrons interact with the electromagnetic fields and exchange their energy states and so the atomic energy levels and meanwhile their excess energy is transferred to optical energy. During this exchange the energy states of electrons change. Because the change of the electron energy states affects the threshold current, this energy change is important in the semiconductor laser band engineering. In this work the behaviour of the energy of the electrons and their eigenstates on the heterojunction semiconductor lasers and so the atomic energy levels are investigated.
Abstract (Original Language): 
Elektronlar, yarıiletken lazerlerin aktif bölgelerinde elektromanyetik dalga ile etkileşerek enerji seviyelerini değiştirirler. Elektronlar, elektromanyetik alandan aldıkları enerjiyi optik enerjiye dönüştürürler. Bu dönüşüm esnasında elektronların enerji durumları değişir. Yarıiletken lazerlerde enerji durumlarının değişimi, eşik akımını etkilemesi sebebiyle, yarıiletken enerji bant mühendisliğinde önemli bir yer tutar. Bu çalışmada heterojonksiyon yarıiletken lazerlerde elektronların enerji davranışı ve onların öz enerjileri dolayısıyla atomik enerji seviyeleri incelenmektedir.
179
187

REFERENCES

References: 

Özek, A. 1997. Üç Boşluklu Lazer Diyot Karakteristikleri ve Frekans Kaymasının Bastırılması (Doktora Tezi), Erciyes Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Kayseri.
Schiff, L. I. 1982. Quantum Mechanics, McGraw-Hill Book Comp., Tokyo.
Temiz, M.
1996
. The Quantum-Well Structure of Self Electro-optic Effect Devices and Gallium-Arsenide, Pamukkale University Engineering College, Journal of Engineering Sciences, Page 89, Volume 2, Number 2, Year 1996.
Temiz, M. 1997. Yarıiletkenler, Pamukkale Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Müh. Fak., Matbaası, Denizli.
Temiz, M. 1999. GaAs-Tabanlı Fiber Glas ve
Lazerlerde
Kılavuzlanmı
ş Elektromanyetik Alan Modlarının İncelenesi, Pamukkale Üniversitesi, Müh. Fak., Mühendislik Bilimleri Dergisi, Cilt 5, Sayı 1-2, Sayfa 1083.
Temiz, M. 2001. The Effects of Some Parameters of the Propagation Constant for Heterojunction Constructions on the Optical Modes, International Journal Laser Physics, Moscow State Engineering Physics Institute, Volume 11, No. 3.
Temiz, M. ve Acer, H. 1998. GaAs-Tabanlı Lazerlerde Elektromanyetik Propagasyon Sabitinin İncelenmesi, Pamukkale Üniversitesi, Müh. Fak., Mühendislik Bilimleri Dergisi, Cilt 4, Sayı 1-2, Sayfa 541.
Temiz, M., Samedov, R. 1999. Fiber Glas, Yarıiletken Lazerler ve Kazanç Zabiti, Pamukkale Üniversitesi, Müh. Fak., Mühendislik Bilimleri Dergisi, Cilt 5, Sayı1-2, Sayfa 1083.
Verdeyen, J. T. 1989. Laser Electronics, Prentice-Hall Inc., New Jersey.

Thank you for copying data from http://www.arastirmax.com